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DMN65D8LDW
0.6
1
V DS = 5.0V
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.1
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
1 2 3 4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.1 Typical Output Characteristic
5
0.01
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE
Fig.2 Typical Transfer Characteristics
4.0
5.0
4.5
2.4
2.2
4.0
3.5
2.0
1.8
V GS = 10 V
I D = 115mA
3.0
V GS = 5V
1.6
2.5
1.4
V GS = 5V
I D = 115mA
2.0
1.5
1.0
0.5
V GS = 10V
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
I D , DRAIN CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
0.6
0.4
50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 4 On-Resistance Variation with Temperature
Drain Current and Temperature
5
4
2.0
1.8
1.6
1.4
I D = 1mA
3
V GS = 5V
I D = 115mA
1.2
I D = 250μA
1.0
2
1
V GS = 10 V
I D = 115mA
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMN65D8LDW
Document number: DS35500 Rev. 6 - 2
3 of 6
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
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